檢索結果：共6筆資料 檢索策略： "indium".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="郭東昊"
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近年來，研究人員紛紛投入CIGSe太陽能薄膜電池真空製程的研究中，而真空製備的方法眾多，主要分為蒸鍍與濺鍍製程，本實驗使用真空濺鍍製程當作主要製程。目前高效率的製程多屬於共蒸鍍系統，最高可達到20%…
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本研究使用金屬鈦(Ti)、金屬鋁(Al)與氧化銦(In2O3)粉末組成三種不同配方之靶材，利用射頻磁控濺鍍法於p型矽基板上製備鈦鋁銦氧(TAIO)薄膜，並在氮氣氛下以快速退火(500°C~800°C…
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本論文以含氮化物粉體的方式將N摻雜在IGZO前驅粉體中，並利用本實驗的真空熱壓機壓製而成N摻雜IGZO (IGZNO)靶材，經濺鍍獲得以N原子取代O原子的位置獲得N摻雜IGZO薄膜，期望藉由…
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本論文以本實驗室自行壓製陶金(陶瓷+金屬)靶材，採用RF反應式濺鍍法製備N摻雜的IGZO薄膜，以N取代O的位置，期望提高IGZO薄膜內的氮含量來提升載子遷移率及提升電性穩定性。實驗中，觀察在不同氧氣…
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本研究利用RF磁控濺鍍法在低沉積溫度下製備光電陰極及光電陽極之薄膜。 在光電陰極的部分本研究利用矽基板為基材，對其以磁控濺鍍法進行 In2O3 薄膜披覆，其主要目的是希望在酸性電解液中有優異的析氫能…